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電源電路堪稱(chēng)電子設備的核心命脈，而其中開(kāi)關(guān)電源憑借其高效、緊湊與優(yōu)異的適配性，已成為當前電源方案的主流選擇。在此背景下，如何合理選擇開(kāi)關(guān)電源中的濾波電容，成為影響整機性能的關(guān)鍵一環(huán)。多層瓷介電容器（MLCC）以其高比容、高性能、高可靠性及低ESR等優(yōu)勢，正日益凸顯其在開(kāi)關(guān)電源中不可或缺的地位——無(wú)論是在輸入與輸出端的濾波環(huán)節，還是在諧振、緩沖等關(guān)鍵電路中，MLCC都發(fā)揮著(zhù)至關(guān)重要的作用，成為提升電源系統效能與穩定性的重要支撐。例：如圖所示（圖1），在設計一個(gè)開(kāi)關(guān)電源電路時(shí)，需要用到電容器作為濾波電容使用，C1為輸入濾波電容器，C2為輸出濾波電容器，對于高頻開(kāi)關(guān)電源，C1和C2都可采用多層瓷介電容器，構成全瓷型開(kāi)關(guān)電源。圖1那么，在開(kāi)關(guān)電源電路中如何選用多層瓷介電容器才能得到最佳濾波效果？首先要明確濾除的源（信號）的頻率（頻譜）分布，最好知道能量分布情況（圖2）。圖2其次要了解多層瓷介電容器的阻抗頻率特性（圖3）。?  在阻抗頻率特性曲線(xiàn)中，阻抗最低點(diǎn)的頻率是電容器的自諧振頻率?0；?       當工作頻率低于?0時(shí)，電容器呈容性；?       當工作頻率等于?0時(shí)，電容器呈阻性，并且此時(shí)的阻抗最小，僅與ESR相關(guān)；?       當工作頻率大于?0時(shí)，電容器呈感性。由于電容器在自諧振頻率?0時(shí)阻抗值最小，因此選擇“自諧振”頻率越接近噪聲頻率的電容器其濾波效果越好。圖3一般情況下噪聲的頻譜特性都較為復雜，能量分布不均，一般低頻較大、高頻較小。為到達最佳的濾波效果，可采用多只不同容量的電容并聯(lián)（圖4）。但在并聯(lián)應用時(shí)一定要注意反諧振現象。圖4反諧振是發(fā)生在兩個(gè)電容器間的自諧振頻率不同時(shí)的一種現象，并聯(lián)諧振發(fā)生在其中一個(gè)電容器的感性區以及另一個(gè)電容器的容性區，在這個(gè)頻段造成總的阻抗增加（圖5）。因此，插入損耗在出現反諧振的地方會(huì )變小。圖5消除反諧振主要有以下兩種方法：?  在并聯(lián)電容器中間加入鐵氧體磁珠；?  使用低ESL、低ESR的電容器，比如三端電容器。 那么，對于開(kāi)關(guān)電源輸出濾波電容，如何計算？開(kāi)關(guān)電源相對于線(xiàn)性電源，工作頻率更高，功率更大，結構更復雜，濾波范圍主要是電源的開(kāi)關(guān)頻率及高次諧波（圖6）。圖6濾波電容需滿(mǎn)足以下四點(diǎn)：?  滿(mǎn)足可靠性設計要求；?  滿(mǎn)足電源輸出電壓對紋波的要求；?  滿(mǎn)足電源輸出電壓對噪聲的要求；?  自發(fā)熱溫升滿(mǎn)足設計要求。輸出濾波電容Cout的最小電容量可根據加載到輸出電容器上的電流變化量△I、穩態(tài)電容充電時(shí)間ton和技術(shù)指標要求的基波紋波電壓峰峰值△V來(lái)計算（圖7）。其中△I與電源拓撲結構、扼流圈、變壓器參數、電流系數和輸出電流額定值有關(guān)。電容量選型時(shí)還需考慮頻率、直流偏壓、工作溫度、長(cháng)時(shí)間工作對電容值的影響。圖7除此之外，電容器的寄生參數ESR、ESL也將引起電壓尖峰或電流尖峰，這些尖峰一般疊加在基波紋波上，表現為與基波紋波同步，此尖峰的峰峰值成為開(kāi)關(guān)電源輸出電壓噪聲。因此需要計算輸出電容器的ESR和ESL最大值，具體方法如下：輸出濾波電容ESR的最大值可根據開(kāi)關(guān)電源輸出電壓噪聲△VESR和加載到輸出電容器上的電流變化量△I來(lái)計算(圖8)。電容器ESR選型時(shí)還應注意頻率、工作溫度、引入分布電阻、長(cháng)時(shí)間工作和儲存、自發(fā)熱溫升對ESR的影響，同時(shí)考慮設計冗余性；圖8輸出濾波電容ESL的最大值可根據輸出電壓噪聲要求△VESL、加載到輸出電容器上的電流變化量△I和穩態(tài)電容充電時(shí)間ton來(lái)計算(圖9)。電容器ESL選型時(shí)還應注意頻率、工作溫度、引入分布電感、長(cháng)時(shí)間工作和儲存對ESL的影響，同時(shí)考慮設計冗余性；圖9開(kāi)關(guān)電源輸出電壓紋波噪聲峰峰值VP-P包括電容充、放電引起的電壓波動(dòng)△V、脈動(dòng)電流在電容ESR（包含分布電阻）引起的輸出電壓波動(dòng)△VESR、脈動(dòng)電流在電容的ESL（包含分布電感）引起的輸出電壓波動(dòng)△VESL(圖10)；圖10在實(shí)際選擇應用中，大部分情況單只電容器可能無(wú)法滿(mǎn)足上述設計要求，可以選擇多只電容器并聯(lián)或設計多級濾波的方法來(lái)達到設計指標要求。最后總結一下：若要獲得較好的濾波效果需明確要濾除的源的頻率分布、了解多層瓷介電容器的阻抗頻率特性，并聯(lián)電容設計需防止反諧振現象

七十六載砥礪行，盛世華章日月新萬(wàn)里河山披錦繡，千秋偉業(yè)耀古今 鴻遠電子秉承實(shí)業(yè)報國的初心與使命與時(shí)代同頻，與祖國共進(jìn)  在鴻遠研發(fā)室里閃耀的，是創(chuàng )新的星火每一次技術(shù)突破，都是對品質(zhì)的追求生產(chǎn)線(xiàn)上躍動(dòng)的，是奮斗的脈搏每一次產(chǎn)品打磨，都是對匠心的傳承市場(chǎng)前沿奔走的，是擔當的身影每一次需求響應，都是對承諾的恪守 從制造到智造，從堅守到突破只要是國家所需便是我們心之所向、行之所往！  致敬偉大時(shí)代，感恩腳下熱土我們愿傾盡全部智慧與汗水為中華民族偉大復興貢獻力量！ 值此共和國76華誕全體鴻遠人謹以拳拳赤子之心，祝福祖國：九州安泰，繁榮永固國運恒昌，盛世長(cháng)虹  

9月19日下午，由北京市工商聯(lián)、通州區人民政府聯(lián)合舉辦的2025北京民營(yíng)企業(yè)百強發(fā)布會(huì )于北京國際財富中心紫金廳盛大啟幕。此次發(fā)布會(huì )旨在深入貫徹落實(shí)習近平總書(shū)記在民營(yíng)企業(yè)座談會(huì )上的重要講話(huà)精神，助推首都民營(yíng)經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展。全國工商聯(lián)、北京市委統戰部、北京市工商聯(lián)、通州區政府相關(guān)領(lǐng)導，以及業(yè)界專(zhuān)家、入圍企業(yè)代表齊聚一堂，共同見(jiàn)證這一標志著(zhù)北京民營(yíng)經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展的重要時(shí)刻。會(huì )上，備受矚目的“2025北京民營(yíng)企業(yè)百強”、“2025北京民營(yíng)企業(yè)科技創(chuàng )新百強”、“2025北京民營(yíng)企業(yè)文化產(chǎn)業(yè)百強”、“2025北京民營(yíng)企業(yè)專(zhuān)精特新百強”榜單，以及“2025北京民營(yíng)企業(yè)優(yōu)秀投資案例”、“2025北京民營(yíng)企業(yè)社會(huì )責任優(yōu)秀案例”名單正式發(fā)布。鴻遠電子憑借在市場(chǎng)表現、技術(shù)創(chuàng )新與運營(yíng)實(shí)力上構筑的綜合競爭力，成功榮登“北京民營(yíng)企業(yè)專(zhuān)精特新百強”榜單，并一舉斬獲第四名，成為首都民營(yíng)經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展的典型代表。  公司董事會(huì )秘書(shū)、財務(wù)總監李永強代表公司參加發(fā)布會(huì )，并上臺領(lǐng)受榮譽(yù)牌匾?！氨本┟駹I(yíng)企業(yè)專(zhuān)精特新百強”是今年新設立的獎項，以北京市“專(zhuān)精特新”企業(yè)作為參評范圍，以企業(yè)2024年度經(jīng)營(yíng)情況、產(chǎn)業(yè)發(fā)展定位、從事行業(yè)年限、研發(fā)創(chuàng )新能力等為核心指標，同時(shí)綜合考量企業(yè)依法合規經(jīng)營(yíng)、誠實(shí)守信等方面的表現，根據對核心指標與輔助指標的量化賦值，最終確定入圍企業(yè)名單。在此次評選中，鴻遠電子憑借在專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域的深厚沉淀榮登榜單前列，這份榮譽(yù)不僅是對企業(yè)過(guò)往堅守實(shí)業(yè)發(fā)展、堅持科技創(chuàng )新的高度認可，更堅定了企業(yè)深耕主業(yè)、追求卓越的信心。展望未來(lái)，鴻遠電子將繼續牢記“實(shí)業(yè)報國”的初心使命，堅定地向“新”而行、向“高”攀登，在推動(dòng)行業(yè)進(jìn)步、助力首都經(jīng)濟社會(huì )發(fā)展的進(jìn)程中，持續貢獻更多力量。

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介硅電容器（Silicon Capacitors）是一種基于半導體制造工藝，融合了MOS工藝與MEMS技術(shù)，通過(guò)微納米級結構設計制造的電子元件，它突破了傳統MLCC和SLCC的性能邊界，為射頻微波電路、高性能數字IC、精密模擬電路等對電子元器件性能、穩定性和集成度要求極高的應用場(chǎng)景提供了新的電容解決方案。硅電容按內部結構特點(diǎn)可分為2D硅電容器和3D硅電容器。2D硅電容器是一種以高摻雜硅作為電極和基底，通過(guò)化學(xué)氣相沉積或熱氧化在其表面生成介質(zhì)層的電容器。3D硅電容器是在2D硅電容器基礎上，為了突破二維平面限制、追求更高容量密度而發(fā)展起來(lái)的具備特殊三維結構的產(chǎn)品。通過(guò)利用半導體微加工技術(shù)（特別是深硅刻蝕等MEMS技術(shù)）在硅襯底上制造出三維立體結構，從而增加介質(zhì)層的有效面積來(lái)顯著(zhù)提升單位面積內的電容量。二、產(chǎn)品特點(diǎn)與傳統電容器（如MLCC、鉭電容）相比，硅電容具有以下顯著(zhù)優(yōu)點(diǎn)：?  超高精度：介質(zhì)層是通過(guò)CVD或熱生長(cháng)形成的，厚度和成分非常均勻，電容值由面積和介質(zhì)厚度決定，因此電容器的容值偏差可以做到非常?。蛇_±0.1%或更高）。?  高溫度穩定性：硅電容產(chǎn)品采用氮化硅或二氧化硅作為介質(zhì)材料，在-55℃～150℃的溫度范圍內，溫度系數僅為±100ppm/℃。?  優(yōu)異的高頻特性：硅電容使用的介質(zhì)材料和結構特點(diǎn)，使其具有很低的等效串聯(lián)電阻（ESR）和等效串聯(lián)電感（ESL），其在很寬的頻率范圍內保持容量的穩定性。 ?  高長(cháng)期可靠性：硅電容采用半導體薄膜工藝，可保證介質(zhì)致密性與均勻性，電容器長(cháng)期可靠性、批次一致性?xún)?yōu)異。?  高容量密度：3D硅電容通過(guò)在垂直方向上構建三維結構（如深溝槽等），極大地增加電極的有效面積，單位面積電容量較2D硅電容器可提升10～100倍，實(shí)現進(jìn)一步小型化的同時(shí)保留了上述高精度、高穩定性、優(yōu)異的高頻性能和高穩定性的特點(diǎn)。三、應用領(lǐng)域?  高端通信設備：5G基站、射頻功放、光模塊、網(wǎng)絡(luò )設備等中的射頻電路和高速數字處理單元。?  汽車(chē)電子：電動(dòng)汽車(chē)和智能駕駛系統，如發(fā)動(dòng)機控制單元、車(chē)載信息娛樂(lè )系統、高級駕駛輔助系統（ADAS）、激光雷達（LiDAR） 等對溫度和可靠性要求高的場(chǎng)合。?  工業(yè)與醫療電子：工業(yè)自動(dòng)化控制系統、醫療設備（特別是植入式醫療設備），這些應用對元件的長(cháng)期穩定性和可靠性有極致要求。?  航空航天與國防：用于航空電子系統、飛機發(fā)動(dòng)機控制等對溫度穩定性要求較高的電路中。四、產(chǎn)品結構和電極形式公司硅電容分為2D硅電容和3D硅電容，采用在二維平面結構或具有溝槽結構的三維立體結構上沉積介質(zhì)材料，并覆蓋金電極作為引出端，形成可金絲鍵合的微組裝用硅電容或表面貼裝（SMT）用硅電容。1、硅電容器內部結構 2、2D硅電容產(chǎn)品電極形式 3、3D硅電容產(chǎn)品電極形式五、產(chǎn)品典型容值范圍1、2D硅電容典型容值范圍產(chǎn)品系列尺寸（mm）容量（pF）122334710022047010001500D系列0.254*0.2540.508*0.5080.762*0.7621.016*1.0161.270*1.270G系列0.254*0.7620.508*1.2700.762*2.0321.016*2.0321.270*2.0322、3D硅電容典型容值范圍產(chǎn)品系列尺寸（mm）容量（pF）100022004700100002200047000100000D系列0.254*0.2540.508*0.5080.762*0.7621.016*1.0161.270*1.270H系列0.400*0.2000.600*0.3001.000*0.5001.600*0.8002.000*1.250六、質(zhì)量保證基于硅電容產(chǎn)品特點(diǎn)，公司結合多年電容器開(kāi)發(fā)、供貨經(jīng)驗，制定了一整套質(zhì)量保證方案。包括其介質(zhì)層的質(zhì)量評估、產(chǎn)品一致性評估、產(chǎn)品測試分選、壽命評估等。在生產(chǎn)、供貨過(guò)程中，主要開(kāi)展的檢驗項目如下：檢驗階段檢驗項目主要項目產(chǎn)品開(kāi)發(fā)階段基礎性能評估容量、損耗角正切、耐壓等結構分析膜層結構、膜層致密性等可靠性評估溫度沖擊、穩態(tài)濕熱、耐焊接熱、靜電放電、高溫壽命生產(chǎn)過(guò)程結構分析膜層結構電性能測試分選容量、損耗角正切、耐壓等外觀(guān)測試分選表面缺陷，邊緣缺陷等七、產(chǎn)品安裝方式硅電容適配打線(xiàn)和SMT貼片安裝工藝，可與各類(lèi)半導體器件良好兼容，安裝示意圖如下。八、小結硅電容器并非要取代傳統的MLCC，而是作為一種高性能、高穩定性電容器的補充技術(shù)，在特定的高端應用領(lǐng)域，尤其是需要與半導體芯片集成的場(chǎng)景中，發(fā)揮著(zhù)重要作用。公司深耕電容領(lǐng)域數十年，對電容產(chǎn)品有著(zhù)深入的理解，公司擁有完善的電容制造以及可靠性檢驗設備和資質(zhì)。公司基于對介電材料的認識和電容器應用的積累，開(kāi)發(fā)了系列化的硅電容產(chǎn)品，為客戶(hù)在高頻、高穩定性電路領(lǐng)域應用提供更優(yōu)的產(chǎn)品解決方案。 

2025年9月3日上午9時(shí)，中國人民抗日戰爭暨世界反法西斯戰爭勝利80周年紀念大會(huì )隆重舉行。中共中央總書(shū)記、國家主席、中央軍委主席習近平發(fā)表重要講話(huà)，深切回顧歷史、致敬英烈，宣示和平?jīng)Q心、凝聚奮進(jìn)力量，在全國人民心中激起強烈共鳴。 閱兵揚威 雄獅亮劍在萬(wàn)眾矚目的閱兵式上，習近平總書(shū)記乘檢閱車(chē)沿長(cháng)安街前行，檢閱受閱部隊，并向官兵致以“同志們好!”、“同志們辛苦了!”的親切問(wèn)候，飽含了對廣大官兵的深情關(guān)懷與對人民軍隊的高度肯定。分列式中，一支支威武之師步伐鏗鏘、氣勢如虹，每一步都踏在民族復興的堅定節拍上；一批批自主研發(fā)的新型裝備依次亮相，展現出國防和軍隊現代化建設的重大成就，每一件都彰顯著(zhù)祖國強大的硬核實(shí)力。 盛典在目 榮光于心在這莊嚴的歷史時(shí)刻，鴻遠電子副董事長(cháng)鄭小丹榮幸受邀到現場(chǎng)觀(guān)禮。這份殊榮，不僅屬于她個(gè)人，更體現了黨和國家對鴻遠電子長(cháng)期以來(lái)堅守實(shí)業(yè)、深耕國防建設的充分肯定，這也令公司全體員工倍感振奮與鼓舞。今天，公司組織全國各地鴻遠人同步觀(guān)看大會(huì )直播。在北京總部，公司董事長(cháng)及各級領(lǐng)導干部、黨員群眾、員工代表齊聚一堂，共同觀(guān)看。直播正式開(kāi)始前，鄭紅董事長(cháng)進(jìn)行動(dòng)員講話(huà)，他請全體員工務(wù)必銘記歷史，從歷史中汲取奮進(jìn)力量。同時(shí)他認為，此次閱兵是中國向全世界作出的莊嚴宣告，在中國共產(chǎn)黨的領(lǐng)導下，中國人民實(shí)現了從站起來(lái)到強起來(lái)的偉大跨越，彰顯出全國人民捍衛國家主權、維護國家利益與尊嚴，保衛世界和平的堅定決心和強大底氣。他還表示，鴻遠電子幾十年來(lái)作為國防事業(yè)發(fā)展的積極參與者，諸多產(chǎn)品已廣泛應用于眾多大國重器中，這離不開(kāi)每一位鴻遠人的智慧與心血，也是我們的自豪與榮耀！最后，鄭紅董事長(cháng)特別強調：未來(lái)，鴻遠電子將繼續毫無(wú)保留地投身國家的國防建設事業(yè)，為了民族的復興，國家的強盛，竭盡全力為國家貢獻一切力量。同時(shí)，我個(gè)人愿在國家需要時(shí)，無(wú)條件地將屬于自己的一切，全部奉獻給國家。   蘇州會(huì )場(chǎng)集中觀(guān)看直播 成都會(huì )場(chǎng)集中觀(guān)看直播 合肥會(huì )場(chǎng)集中觀(guān)看直播 銘記歷史 揚我國威大會(huì )開(kāi)始前，公司黨總支專(zhuān)門(mén)組織全體黨員開(kāi)展 “銘記歷史 · 揚我國威” 主題學(xué)習教育活動(dòng)，以此深切緬懷為民族獨立與解放英勇獻身的革命先烈?；顒?dòng)中，大家深入回顧抗戰時(shí)期艱苦卓絕的奮斗歷程，重溫革命先輩的英雄事跡，深刻感悟初心使命。通過(guò)學(xué)習，全體黨員從偉大抗戰精神中汲取奮進(jìn)力量，愛(ài)國主義情懷與崗位責任意識進(jìn)一步增強，凝聚起恪盡職守、奮發(fā)作為的擔當共識，更堅定了新時(shí)代立足本職、報效國家的堅定決心。 榮譽(yù)見(jiàn)證 擔當奮進(jìn)當我國自主研發(fā)的現役主戰裝備駛過(guò)天安門(mén)，鴻遠人心中熱血沸騰，這是人民軍隊新一代武器裝備的集中亮劍，是祖國國防實(shí)力的生動(dòng)見(jiàn)證。更令人自豪的是，這些捍衛國家主權、彰顯大國底氣的“重器”背后，也都凝結著(zhù)我們鴻遠人的智慧與汗水！此刻，研發(fā)室里的潛心鉆研、生產(chǎn)線(xiàn)上的精益求精、實(shí)驗臺前的反復推敲，所有平凡的堅持，都被賦予了更深刻的意義。熒幕前，大家神情專(zhuān)注、心潮澎湃，手中的國旗與臉上的自豪相互映照。這不僅是一次閱兵觀(guān)禮，更是一次直抵人心的精神洗禮。大家由衷地表示，要把這一刻的震撼與感動(dòng)化為奮進(jìn)的力量，把對祖國的熱愛(ài)、對使命的擔當，融入每一次服務(wù)保障的堅守中，用我們的方式，繼續守護這份光榮與夢(mèng)想。 實(shí)業(yè)報國 奮起新程鴻遠電子自成立之日起，便將實(shí)業(yè)報國的初心融入血脈。數十年來(lái)深耕電子元器件領(lǐng)域，以科技創(chuàng )新賦能發(fā)展，我們用日復一日的拼搏，努力踐行著(zhù)“國家的需要，就是企業(yè)的使命”這一堅定信念。八十載風(fēng)雨兼程，復興之路步履鏗鏘。這場(chǎng)舉世矚目的盛大活動(dòng)，是對抗戰勝利的隆重致敬，是對革命先烈的深切緬懷，更是對和平發(fā)展的莊嚴宣誓。站在新的歷史起點(diǎn)，鴻遠電子將始終與祖國同呼吸、共命運，銘記歷史、開(kāi)創(chuàng )未來(lái)，以更前沿的技術(shù)、更可靠的產(chǎn)品，為服務(wù)新時(shí)代國家戰略、服務(wù)國防建設貢獻更多鴻遠力量。 

多層片式瓷介電容器作為電子工業(yè)不可或缺的核心基礎元器件，在電子電路中起濾波、耦合、隔直、旁路等關(guān)鍵作用。作為適用于高密度微組裝工藝的多層芯片瓷介電容器，以其微型化尺寸、高容量密度、低等效串聯(lián)電阻（ESR）及低等效串聯(lián)電感（ESL）等顯著(zhù)技術(shù)優(yōu)勢，在現代電子系統中扮演著(zhù)重要的角色，其戰略?xún)r(jià)值日益突顯。在高可靠性應用領(lǐng)域，如電子對抗、雷達系統、導航制導及衛星通信等關(guān)鍵系統中，多層芯片瓷介電容器憑借其卓越性能獲得廣泛應用。在民用及工業(yè)應用領(lǐng)域，其應用前景同樣極為廣闊，目前已經(jīng)廣泛應用于5G通信基礎設施、高速光通信模塊、激光雷達等前沿技術(shù)領(lǐng)域。隨著(zhù)射頻微波通信技術(shù)、雷達、電子站、光通信技術(shù)、精密測量?jì)x器以及自動(dòng)駕駛等高端產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，現代電子設備對小型化、輕量化、高集成度的追求日趨迫切。特別是在光通信組件集成化與汽車(chē)雷達小型化的強勁需求牽引下，市場(chǎng)對超微型多層芯片瓷介電容器的需求日益旺盛。為響應這一行業(yè)趨勢，元六鴻遠公司依托技術(shù)創(chuàng )新，成功研制出012012尺寸多層芯片瓷介電容器，尺寸代碼012012（0.30mm×0.30mm）。該系列產(chǎn)品在關(guān)鍵的產(chǎn)品尺寸與電容量等核心性能指標上實(shí)現了突破性進(jìn)展，有效解決了微型化與高容值兼顧的技術(shù)難題。目標在于為新一代高度小型化的通信設備提供性能更優(yōu)、體積更小、可靠性更高的芯片電容解決方案，為電子信息技術(shù)向更微型、更智能的方向持續演進(jìn)提供有力技術(shù)支撐。元六鴻遠多層芯片瓷介電容器產(chǎn)品，自面市以來(lái)憑借優(yōu)異的性能和可靠性，贏(yíng)得了市場(chǎng)的廣泛認可。為積極響應電子產(chǎn)品日益小型化、高集成化的發(fā)展要求，滿(mǎn)足客戶(hù)對更小尺寸、更高容量的迫切需求，我司在現有成熟產(chǎn)品015015（0J0J）規格（0.38mm×0.38mm×0.30mm）基礎上，成功開(kāi)發(fā)并推出全新012012（0G0G）規格（0.30mm×0.30mm×0.20mm）超小型多層芯片瓷介電容器。此次推出的012012多層芯片瓷介電容器，其產(chǎn)品體積由015015規格的0.043mm3大幅縮減至0.018mm3，體積降幅高達約58%。該產(chǎn)品的成功研制，進(jìn)一步拓展了國內外超小型多層芯片瓷介電容器的尺寸范圍，實(shí)現了顯著(zhù)的技術(shù)突破，可為國內外客戶(hù)提供新的超小尺寸多層芯片瓷介電容器解決方案。以1000pF規格為例，012012多層芯片瓷介電容器相較于原有015015、0202尺寸實(shí)物對比如下：元六鴻遠CT41A（MA）系列012012超小型多層芯片瓷介電容器的研發(fā)成果，標志著(zhù)公司在多層芯片瓷介電容器領(lǐng)域達到行業(yè)領(lǐng)先水平，超小芯片電容產(chǎn)品工藝平臺日趨成熟，為下游客戶(hù)開(kāi)發(fā)更前沿、更精密的電子產(chǎn)品提供了核心元器件支持！